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Si4174DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
4
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
6.0
4. 8
3.6
2.4
1.2
0.0
2.0
1.6
1.2
0. 8
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0.0
0
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0
25
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150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Ambient
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Foot
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68998
S-82773-Rev. A, 17-Nov-08
www.vishay.com
5
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